Диоды Шоттке КДШ2101А-5, КДШ2101Б-5, КДШ2101В-5
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2101А-5, КДШ2101Б-5, КДШ2101В-5 предназначены для использования в гибрилных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.
| Наименование параметра, режим и условия измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Значение параметра | ||
| Мин. | Типовое | Макс. | ||
| Постоянный обратный ток диода, |
Iобр |
- |
- |
0,5 |
| (tи 300 мкс, Q 100), мА | ||||
| (Uобр = 40 В) КДШ2101А-5 | ||||
| (Uобр = 60 В) КДШ2101Б-5 | - | - | 0,5 | |
| (Uобр = 100 В) КДШ2101В-5 | - | - | 0,5 | |
| Постоянное прямое напряжение диода |
Uпр |
- |
- |
0,5 |
|
(Iпр = 1 А, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2101А-5 |
||||
| КДШ2101Б-5 | - | - | 0,7 | |
| КДШ2101В-5 | - | - | 0,79 | |
| Пробивное напряжение диода |
Uпроб |
40 |
- |
- |
|
(Iобр = 10 мА, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2101А-5 |
||||
| КДШ2101Б-5 | 60 | - | - | |
| КДШ2101В-5 | 100 | - | - | |
|
Общая емкость диода
(Uобр = 5 В, f = 1 МГц), пФ |
Сд |
- |
- |
110 |
|
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение параметра | Норма | ||
| КДШ2101А-5 | КДШ2101Б-5 | КДШ2101В-5 | ||
| Максимально допустимое обратное напряжение диода, В | Uобр,max | 40 | 60 | 100 |
|
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение диода
(Q > 2, f = 15 Гц), В |
Uобр,и,п,max | 40 | 60 | 100 |
|
Максимально допустимый средний прямой ток диода
(Тср 25 С, f 15 Гц, Q 2), А * |
Iпр,ср,max | 1 | 1 | 1 |
|
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода
(Тср 25 С, Q 2, f 15 Гц), А * |
Iпр,и,п,max |
10 |
10 |
10 |
|
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток для единичной синусоидальной полуволны длительностью 5 мс
(Тср 25 С), А |
Iпр,и,нп,max |
40 |
40 |
40 |
| Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер,max | 150 | 150 | 150 |
| * При сборке в корпус КТ-28-1 | ||||
