Диоды Шоттке КДШ2965А, КДШ2965Б

Артикул:
10100
Производитель:
ООО «Транзистор»
Наличие на складе:
Уточняйте у менеджера
Цена по-запросу
Под заказ

Мощный кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки КДШ2965А, КДШ2965Б предназначен для использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Особенности

  • низкое прямое падение напряжения
  • высокое быстродействие
  • отсутствие заряда обратного восстановления
  • диапазон рабочих температур от - 45 до + 125 C
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Катод
№2 Катод
№3 Анод
Основные электрические параметры
Наименование параметpа Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Норма, не более Темпер. корпуса, C
А Б A Б
Постоянный обратный ток диода I обр. мА U обр.=60В U обр.=45В 2,0

1,8

80

3,0

2,7

105

-45

25

125

Постоянное прямое напряжение диода U пр. В I пр=20А;

tи 300мкс; Q 100

0,8

0,64

0,58

0,65

0,57

0,51

-45

25

125

I пр=40А;

tи 300мкс; Q 100

0,84 0,73 25
Пробивное напряжение диода U проб. В I обр.= 20мА 60 45 25
Общая емкость диода Сд пФ U обр.=5В, f = 1мГц 1400 25
Предельно допустимые электрические режимы
Наименование параметра (режим и условия измерения) Обозначение Единица измерения Значение
А Б
Постоянное обратное напряжение диода U обр.max В 60 45
Средний прямой ток диода (Ткорп 120 C) I пр. max А 20
Повторяющийся импульсный прямой ток диода (Q 2, Ткорп 120 C) I пр.и.п А 20
Неповторяющийся импульсный прямой ток диода ( tи 10мс) I пр.и.нп А 350 400
Температура перехода Тпер max C 150
Тепловое сопротивление переход-корпус R tпер-корп С/Вт 1,5

* Для всего диапазона рабочих температур окружающей среды

Похожие товары
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ

© 2025 TEXNOGAZ