Мощный кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки. Предназначен для КДШ2966А использования в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Особенности
- низкое прямое падение напряжения
- высокое быстродействие
- отсутствие заряда обратного восстановления
- диапазон рабочих температур от - 45 до + 125 C
Назначение выводов
|
Вывод
|
Назначение
|
|
№1
|
Катод
|
|
№2
|
Катод
|
|
№3
|
Анод
|
Основные электрические параметры
|
Наименование параметра
|
Обозна- чение
|
Един. измер.
|
Режимы измерения
|
Норма, не более
|
Темпер. корпуса., C
|
|
Постоянный обратный
|
I обр.
|
мА
|
U обр.=45В
|
5,0
|
25
|
|
ток диода
|
6,0
|
-45
|
|
200
|
125
|
|
Постоянное прямое
|
U пр.
|
В
|
I пр=50А;
|
0,70
|
25
|
|
напряжение диода
|
tи100
|
0,77
|
-45
|
|
0,68
|
125
|
|
Емкость диода
|
Сд
|
пФ
|
U обр.=5В, f = 1мГц
|
2600
|
25
|
Предельно допустимые электрические режимы
|
Наименование параметра (режим и условия измерения)
|
Обозначение
|
Единица измерения
|
Значение
|
|
Постоянное обратное напряжение диода
|
U обр.max
|
В
|
45
|
|
Импульсное обратное напряжение диода
|
U обр.и.max
|
В
|
45
|
|
Средний прямой ток диода (Q 2, Ткорп 100 C)
|
I пр.ср. max
|
А
|
50
|
|
Повторяющийся импульсный прямой ток диода (Q 2, Ткорп 100 C)
|
I пр.и.п.max
|
А
|
50
|
|
Неповторяющийся импульсный прямой ток диода ( tи 10 мс)
|
I пр.и.нп.max
|
А
|
500
|
|
Температура перехода
|
Тп max
|
C
|
150
|
|
Тепловое сопротивление переход-корпус
|
Rt пер-кор
|
С/Вт
|
1,4
|