Импульсные диодные матрицы КД918Б-1, КД918Г-1

No votes yet
Срок доставки: 
от 1 до 14 дней
Производитель: 
Цена:
По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД918Б-1, КД918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.

Основные электрические параметры
Параметры Обознач. Ед. измер. Режимы измерения Типовое значение
Постоянный обратный ток при постоянном обратном напряжении IR мА UR=40B 6
Постоянное прямое напряжение при постоянном прямом токе U В IF=50мА 1
Заряд восстановления Qs пКл IF=50мА URМ=10B 850
Общая ёмкость диода ДМП Сtot пФ UR=0 6
Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Параметры Обозначение Единица измерения Значение Примечание
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение UR max В 40 1
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10 URM max В 60 1,2
Максимально допустимый средний ток через любой одиночный диод или любое количество диодов ДМП при температкре от

минус 60 до +60 С

при температуре +85 С

IFAV max мА  

50

30

3
Максимально допустимый импульсный прямой ток, при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10 без превышения IFAV max через любой одиночный диод или любое количество диодов в ДМП при температуре от минус 60 до +60 С

при температуре +85 С

IFM max А 0,7

0,5

3