Кремниевые транзисторы 2П7145А-5/ИМ

No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145А-5/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения

Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier.

Особенности

  • UСИ = 200 В,
  • RСИ = 0,085 Ом,
  • IС = 30 А,
  • встроенный диод,
  • диапазон рабочих температур от – 60 до + 125 С,
  • категория качества ВП.

Корпусное исполнение - кристаллы на общей пластине.

Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.295ТУ, РД 11 0723.

Требования надежности

Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в режимах и условиях, допускаемых ТУ -25000ч. Минимальная наработка транзисторов (Тн.м) в облегченных режимах РК = 0,7 РКмах, Ткорп = (100±5) С– 50000 ч. Групповой показатель безотказности - интенсивность отказов при испытании в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, ( и) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч. Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.

Условия эксплуатации

Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Остаточный ток стока (UЗИ = 0 В, UСИ = 200 В), мкА IС. ост - 100 25±10
Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В), нА IЗ. ут - ±100 25±10
Пороговое напряжение (UЗИ = UCИ, IС = 250 мкА), В UЗИ пор 2,0 4,0 25±10
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UЗИ = 10 В, IС = 1 А, tи 1 мс), Ом* RСИ отк - 0,085 25±1
Постоянное прямое напряжение диода (UЗИ = 0 В, IС = - 1,0 А, tи 1 мс), В Uпр - 1,0 25±10