Микросхема К1323ХВ1Т

Артикул:
9653
Производитель:
ООО «Транзистор»
Наличие на складе:
Уточняйте у менеджера
Цена по-запросу
Под заказ

Микросхема «К1323ХВ1Т» предназначена для использования в системах бесконтактного электронного зажигания, применяющих в качестве датчика чувствительный элемент, работающий на эффекте Холла. Совместно с внешним высоковольтным NPN транзистором КТ8225А микросхема осуществляет управление процессом протекания тока через катушку зажигания, причем в процессе управления устанавливаются режимы, способствующие экономичной и надежной работе блока зажигания.

Зарубежный прототип - L497D. Обозначение технических условий АДКБ.431420.132 ТУ. Корпусное исполнение – пластмассовый корпус 4307.16-А (SO-16). Собственная резонансная частота микросхем в диапазоне частот от 100 до 20000 Гц отсутствует.

Особенности

  • температурный диапазон от - 45 C дo + 125 C,
  • непосредственное управление внешним мощным транзистором Дарлингтона,
  • управление временем накопления энергии в катушке зажигания,
  • ограничение пикового тока в катушке зажигания,
  • восстановление времени накопления энергии, если не достигнуто 94% значение номинального тока,
  • выход управления тахометром,
  • защита от постоянной проводимости,
  • защита внешнего транзистора Дарлингтона от перенапряжения,
  • защита при неправильном включении аккумулятора,
  • климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150.

Указания по применению и эксплуатации

  • Допустимое значение статического потенциала 500 В.
  • Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки при температуре не выше 265 °C, продолжительностью не более 4 с.
  • Число допускаемых перепаек выводов микросхем при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех.
  • Режим и условия монтажа в аппаратуре микросхем по ОСТ 11 073.063.

Требования к надежности

  • Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченном режиме 60000 ч.
  • Облегченные режимы: нормальные климатические условия, UСС = 14 В ± 5 %.
  • Гамма-процентный срок сохраняемости 10 лет.
Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Примечание
Предельно-допустимый режим Предельный режим
не менее не более не менее не более
Напряжение питания, В UСС 4

-

16

-

4

-

18

24

1

2

Ток потребления по выводу 03, мА IСС03 5 25 - 200 -
Напряжение питания выходного каскада, В (вывод 16) UСС16 - 28 - 25 -
Мощность рассеяния, Вт:

в корпусе 4307.16-А (SO-16)

Ptot - 0,65 - 0,65 3
Тепловое сопротивление кристалл- корпус (алюминиевый теплоотвод) для микросхем в корпусе SO-16, °С/Вт Rt кр-кор - 50 - 50 -
Тепловое сопротивление кристалл- окружающая среда для микросхем в корпусе 238.16-2, °С/Вт Rt кр-окр - 90 - 90 -
Время воздействия 2 ч.

Время воздействия 5 мин.

Для микросхем в корпусе SO-16 температура алюминиевого теплоотвода размерами (15х20х0,65) мм при посадке микросхемы по центру плоской поверхности не выше 65 °С, для микросхем в корпусе 238.16-2 температура окружающей среды не выше 65 С.

* UСС не более 18 В.

Похожие товары
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ

© 2025 TEXNOGAZ