Микросхема К1323ХВ1Т

Микросхема К1323ХВ1Т фото 1
No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Микросхема «К1323ХВ1Т» предназначена для использования в системах бесконтактного электронного зажигания, применяющих в качестве датчика чувствительный элемент, работающий на эффекте Холла. Совместно с внешним высоковольтным NPN транзистором КТ8225А микросхема осуществляет управление процессом протекания тока через катушку зажигания, причем в процессе управления устанавливаются режимы, способствующие экономичной и надежной работе блока зажигания.

Зарубежный прототип - L497D. Обозначение технических условий АДКБ.431420.132 ТУ. Корпусное исполнение – пластмассовый корпус 4307.16-А (SO-16). Собственная резонансная частота микросхем в диапазоне частот от 100 до 20000 Гц отсутствует.

Особенности

  • температурный диапазон от - 45 C дo + 125 C,
  • непосредственное управление внешним мощным транзистором Дарлингтона,
  • управление временем накопления энергии в катушке зажигания,
  • ограничение пикового тока в катушке зажигания,
  • восстановление времени накопления энергии, если не достигнуто 94% значение номинального тока,
  • выход управления тахометром,
  • защита от постоянной проводимости,
  • защита внешнего транзистора Дарлингтона от перенапряжения,
  • защита при неправильном включении аккумулятора,
  • климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150.

Указания по применению и эксплуатации

  • Допустимое значение статического потенциала 500 В.
  • Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки при температуре не выше 265 °C, продолжительностью не более 4 с.
  • Число допускаемых перепаек выводов микросхем при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех.
  • Режим и условия монтажа в аппаратуре микросхем по ОСТ 11 073.063.

Требования к надежности

  • Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченном режиме 60000 ч.
  • Облегченные режимы: нормальные климатические условия, UСС = 14 В ± 5 %.
  • Гамма-процентный срок сохраняемости 10 лет.
Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Примечание
Предельно-допустимый режим Предельный режим
не менее не более не менее не более
Напряжение питания, В UСС 4

-

16

-

4

-

18

24

1

2

Ток потребления по выводу 03, мА IСС03 5 25 - 200 -
Напряжение питания выходного каскада, В (вывод 16) UСС16 - 28 - 25 -
Мощность рассеяния, Вт:

в корпусе 4307.16-А (SO-16)

Ptot - 0,65 - 0,65 3
Тепловое сопротивление кристалл- корпус (алюминиевый теплоотвод) для микросхем в корпусе SO-16, °С/Вт Rt кр-кор - 50 - 50 -
Тепловое сопротивление кристалл- окружающая среда для микросхем в корпусе 238.16-2, °С/Вт Rt кр-окр - 90 - 90 -
Время воздействия 2 ч.

Время воздействия 5 мин.

Для микросхем в корпусе SO-16 температура алюминиевого теплоотвода размерами (15х20х0,65) мм при посадке микросхемы по центру плоской поверхности не выше 65 °С, для микросхем в корпусе 238.16-2 температура окружающей среды не выше 65 С.

* UСС не более 18 В.