Микросхема К1482ФП1Т

Микросхема К1482ФП1Т фото 1
No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Микросхема «К1482ФП1Т» - это интегральное однокристальное устройство, включающее транзисторные, тиристорные и диодные элементы. Данная микросхема предназначена для защиты телефонных линий от индустриальных помех и атмосферных электрических разрядов.

Зарубежный прототип - TISP61089. Обозначение технических условий АДКБ.431140.006 ТУ. Корпусное исполнение - пластмассовый корпус 4303Ю.8-А (SO-8).

Особенности

  • Не нуждается во внешнем диоде для защиты от мощных индуцированных токов.
  • Низкий триггерный ток управления.
  • Ток удержания: IH = 150 мA min.

Требования к устойчивости при климатических воздействиях

Климатические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе:

  • пониженная рабочая температура среды минус 45 C;
  • повышенная рабочая температура среды 85 C;
  • повышенная предельная температура среды 100 C;
  • пониженная предельная температура среды минус 60 C;
  • изменения температуры среды от минус 60 до 100 C.

Требования к надежности

  • Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченном режиме – 60000 ч.
  • Облегченные режимы: нормальные климатические условия. Гамма-процентный срок сохраняемости 10 лет.

Указания по эксплуатации

Допустимое значение статического потенциала 6000 В. Микросхемы  К1482ФП1Т пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки при температуре не выше 265 C, продолжительностью не более 4 с. Число допускаемых перепаек выводов микросхем при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Режим и условия монтажа в аппаратуре микросхем - по ОСТ 11 073.063. Справочные данные Собственная резонансная частота микросхем в диапазоне частот от 100 до 20000 Гц отсутствует.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Максимальное допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора, В Uзс. max   -150
Максимальное допустимое постоянное напряжение “управление” – “линия”, В Uу max   -120*
Ударный неповторяющийся ток тиристора в открытом состоянии, А Tимп = 10 мс, (f = 50 Гц) Tимп = 1 с Iудр, н, ос   5

3,5

Импульсный ток управления (Tимп = 10 мс, синусоида f = 50 Гц), А Iу и   2
Максимально допустимая температура перехода, °С Тпер max   150
* При температуре окружающей среды минус 45 °С максимально допустимое постоянное напряжение Uу max = -80 В.