Оперативное запоминающее устройство асинхронного типа 537РУ13, Н537РУ13

Average: 10 (1 vote)
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

КМОП микросхема интегральная 537РУ13, Н537РУ13 представляет собой оперативное запоминающее устройство асинхронного типа, предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Информационная ёмкость 4096 бит. Организация 1024 х 4 бит.  Обозначение технических условий бКО.347.243 ТУ. Диапазон рабочих температур от - 60 до + 85С.

Корпусное исполнение

  • корпус 427.18-2.03 для 537РУ13
  • корпус Н09.18-1В для Н537РУ13
Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Выходное напряжение высокого уровня, В, Uсс = 5 В ± 10 %

IOH = -2,0 мА

OH = -0,4 мА

UOH 2,8

Uсс -1,2 В

-
Выходное напряжение низкого уровня, В, Uсс = 5 В ± 10 %, IOL = 4,0 мА UOL - 0,4
Напряжение питания в режиме хранения, В, Ucs = Ucc, UI = 0 В UCCS - 2,0
Ток утечки низкого уровня на входе, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UI 0 В ILIL - 1,0
Ток утечки высокого уровня на входе, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UI 5,5 В ILIH - -1,0
Выходной ток низкого уровня в состоянии “Выключено”, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UI = 0 В IOZL - -10
Выходной ток высокого уровня в состоянии “Выключено”, мкА, Uсс = 5 В ± 10 %, UI 5,5 В IOZH - 10
Ток потребления в режиме хранения, мкА,

Uсс = 5 В ± 10 %, UIL = 0 В, UIH = 5,5 В/Uсс = 2,0 В, UIL = 0 В, UIH = 2,0 В

ICCS - 10

5,0

Время цикла записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tСY(WR) 160 -
Время установления сигнала записи относительно сигнала адреса, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tSU(A-WR) 25 -
Длительность сигнала записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tW(WR) 110 -
Время удержания сигнала записи после сигнала входной информации, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tH(DI-WR) 110 -
Время сохранения сигнала входной информации после сигнала записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tV(WR - DI) 25 -
Время установления сигнала выбора относительно сигнала адреса, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tSU(A-CS) 25 -
Длительность сигнала выбора в режиме записи, нс, Uсс = 5 В ± 10 %, CL = 50 пФ tW(CS), WR 110 -