Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ

Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ фото 1
Average: 6 (1 vote)
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.

Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения. Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч. 95-процентный ресурс транзистора Т в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.

Особенности

  • Категория качества ВП.
  • Напряжение коллектор-база 1500 В.
  • Ток коллектора 10 А.
  • Мощность коллектора 65 Вт.

Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.254 ТУ. Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).

Конструктивные требования

  • Масса транзистора не более 20 г.
  • Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
  • Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
  • Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма Температура среды, корпуса, С
не менее не более
Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 500 В) IКБО - 0,2 25±10
Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) IКБО - 1,0 125±5
Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) IКБО - 1,0 60±3
Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В) IЭБО - 10 25±10
Статический коэффициент передачи тока (UКЭ = 10 В, IК = 4 А, tи 300 мкс, Q 50)* h21Э 5   25±10
Граничное напряжение, В (IК = 100 мА, L = 40 мГн) UКЭО гр 700 - 25±10
Время спада, мкс (IК = 5 А, IБ1 = IБ2 = 1,8 А, UКЭ = 500 В, tИ1 = tИ2= 50 мкс) tсп 1,5 - 25±10
* В схеме с общей базой: UКБ = 9,0 В, IЭ = 4,8 А.