Полупроводниковая диодная матрица с общим катодом 2Д908А

Average: 10 (1 vote)
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2Д908А предназначена для работы в аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий - дР3.362.026 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Норма
не менее не более
Постоянный обратный ток при Uобр= 50 В, мкА Iобр   5,0
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В Uпр - 1,2
Время обратного восстановления диода при Iпр = 200 мА, Uобр,и = 1 В, Iобр.отсч = 3 мА, R = 150 Ом, нс tвос,обр   30
Общая емкость диода ДМП при Uобр = 0, пФ СД   5,0