Прецизионные источники опорного напряжения 142ЕР2Н4ИМ

Артикул:
9828
Производитель:
ООО «Транзистор»
Наличие на складе:
Уточняйте у менеджера
Цена по-запросу
Под заказ

Микросхемы интегральные "142ЕР2Н4ИМ" - регулируемые стабилизаторы напряжения параллельного типа, предназначенные для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения, в частности, для работы в источниках вторичного электропитания. Категория качества ВП.

Обозначение технических условий АЕЯР.431420.365-01ТУ. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С. Корпусное исполнение: кристаллы на общей пластине.

Требования по стойкости к воздействию специальных факторов

Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов с характеристиками 7И1,7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4 - по группе исполнения 1Ус, 7К1, 7К4 - по группе исполнения 1К.

Требования к специальным факторам с характеристиками 7И4, 7И10, 7И11, 7С3, 7С6, 7К3, 7К6, 7К9, 7К10, 7К11, 7К12 не предъявляются.

Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов с характеристиками 7И1, 7И6 временная потеря работоспособности микросхем. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность восстанавливается.

Уровень бессбойной работы по характеристике 7И8 должен быть не хуже 0.001х1Ус.

Критерием работоспособности микросхем является параметр относительное изменение минимального напряжения стабилизации UК min и приводится в ТУ исполнения.

Микросхемы обладают электрической прочностью к воздействию одиночных импульсов напряжения с параметрами: длительность импульса 1 мкс.

Требования по надежности

Наработка до отказа в режимах и условиях эксплуатации, допускаемых ТУ, при температуре окружающей среды не более (65+5)С не менее 100000 ч и не менее 120000 ч в следующем облегченном режиме: Токр = (65+5)С, Р.

Указания по эксплуатации

При монтаже микросхем должны исключаться передача усилий на корпус микросхемы, а также попадание на корпус флюса и припоя.

Порядок подачи и снятия входных сигналов на микросхемы должен быть следующим:

  1. на анод;
  2. на управляющий электрод;
  3. на катод;
  4. снятие в обратном порядке.

Обозначение микросхем при заказе: микросхема 142ЕР2Н4ИМ АЕЯР.431420.365-01 ТУ, РД 11 0723.

Технические харатеристики
Параметры Значение
Диаметр пластины, мм 100
Размер кристалла, мм 0,85х0,85
Толщина пластины, мм 0,35
Металлизация планарной стороны Al
Непланарная сторона подложка p-типа
Пассивация Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло
Похожие товары
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ

© 2025 TEXNOGAZ