Транзистор КТ916Б
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО.336.405 ТУ
Особенности
- Диапазон рабочих температур: - 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- КТ-16-2
Маркировка
- 916А – белая точка
- 916Б – зеленая точка
Вывод | Назначение |
№1 | Коллектор (К) |
№2 | Эмиттер (Э) |
№3 | База (Б) |
№4 | Эмиттер (Э) |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Обратный ток коллектор– эмиттер
КТ916А КТ916Б |
Iкэr | мА | Uкэ=55B Rэб=10 Ом | - |
25
40 |
Емкость коллекторного перехода* | Cк* | пФ | Uкб=30 B f=10МГц | - | 20 |
Граничная частота коэффициента передачи тока*
КТ916А КТ916Б |
Fгр* | МГц | Uкэ=10B f=300МГц Iк=1,5А |
1100
900 |
- |
Обратный ток эмиттера | Iэбо | мА | Uэб=3,5 B | - | 4 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас) | В | Iк=250мА,Iб=30мA | - | 1 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=250мА,Iб=30мA | - | 0,4 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 55 |
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) | Uкэ max | В | 55 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 3,5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 2000 |
Импульсный ток коллектора | Iки max | А | 4 |
Температура перехода | Тj | C | 160 |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Рк max | Вт | 30 |