Полупроводниковые диодные матрицы с общим катодом 2Д907Г-1

No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д907Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - дР3.362.014 ТУ.

Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Max значение
Постоянный обратный ток, мкА, при Uобр= 40 В Iобр 5,0
Постоянное прямое напряжение, В, при Iпр = 50 мА Uпр 1,0
Общая емкость диода ДМП, пФ, при Uобр = 0 СД 5,0
Заряд восстановления диода, пКл, при Iпр = 50 мА, Uобр,и = 10 В Qвос 500